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5G時代來臨 氮化鎵有望迎來行業爆發

2020-01-12 09:29      責任編輯:慕羲和    來源:www.utbrezj.cn    點擊:
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5G時代來臨,氮化鎵有望迎來行業爆發期
 
        氮化鎵,分子式GaN,是極穩定的氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中化合物,又是堅硬的高熔點材料,氮化鎵與碳化硅同屬于第三代高大禁帶寬度的半導體材料,與前兩代的硅材料和砷化鎵相比,信息負載能力更強、禁帶寬度更大、導熱率更高,氮化鎵器件較高溫度的條件下依然可以正常工作,在可承載的能量密度和信息密度方面有著前兩代無可比擬的優勢。此外,較大禁帶寬度和絕緣破壞電場可減少器件導通電,從而提升器件整體的能效。而較快的電子飽和速度和極高的電子遷移速率,可讓半導體器件高速、高效運行,從而提高器件的工作效能。
 
        更小的尺寸及功耗、更強大的性能、更大帶寬、更高放大器增益是半導體行業發展的主要趨勢,而氮化鎵剛好滿足了半導體的這些發展需求,因而成為半導體行業未來發展的重要材料之一。
 
        目前,抑制氮化鎵行業進步的關鍵因素是成本,因而主流的氮化鎵技術廠商都在研發以硅為襯底的氮化鎵的器件,以替代昂貴的碳化硅襯底,隨著技術的成熟和生產效率的提升,以硅為襯底的氮化鎵的器件制造成本正不斷下降,預計很快將與傳統硅期間比肩,屆時,將可能引發半導體材料的新一輪結構性變革。
 
        根據新思界發布的《2019-2024年中國氮化鎵行業市場深度調研及發展前景預測報告》,隨著中國三大電信運營商開啟5G通信網絡建設,全球范圍內最大規模的5G商用化進程正式拉開帷幕,低延時、高速率的5G通信網絡一旦建成并大規模普及,基于新一代通信技術的自動駕駛、物聯網、人工智能等技術及應用領域將可能迎來爆發性增長,而高性能的芯片將成為各技術領域的剛需,氮化鎵領域將借助這些技術及應用的領域的大爆發實現產業的跨越式發展,氮化鎵市場規模將從現在的5.9億美元膨脹至15億美元。另外,氮化鎵在軍事領域也有著巨大的發展潛力,雷神公司宣布在導彈中使用氮化鎵計算芯片,以提高導彈的可靠性和壽命,增強導彈的穩定性。
 
        氮化鎵作為新一代半導體新技術,也是全球各國爭相角逐的市場。目前,國際市場上已經出現了多家氮化鎵企業,其中英諾賽科、納微、EPC等企業處于全球氮化鎵領先行列。其中英諾賽科在氮化鎵領域的進步尤其突出,英諾賽科采用8英寸增強型硅氮化鎵外延技術,開創了全球氮化鎵規模化量產的先河,也是躋身氮化鎵產業第一梯隊的國產半導體企業代表。
 
        國內氮化鎵行業雖然起步較晚,但在半導體產業高速發展的帶動下,國內氮化鎵行業發展很快,已經涌現出一批掌握相關技術的企業,如蘇州納維科技有限公司、蘇州晶湛半導體有限公司、廈門市三安集成電路有限公司等。
 
關鍵字: 5G 爆發 氮化鎵

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